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β-FeSi2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池模拟与优化
引用本文:刘振芳,刘淑平,聂慧军.β-FeSi2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池模拟与优化[J].红外,2016,37(5):38-42.
作者姓名:刘振芳  刘淑平  聂慧军
作者单位:太原科技大学 应用科学学院,太原科技大学 应用科学学院,太原科技大学 应用科学学院
摘    要:运用AFORS-HET软件对β-FeSi2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+) HIT型异质结太阳能电池的性能进行了模拟,并对各层参数进行了优化。模拟结果表明,在FeSi2(n) /c-Si(p)结构上加上本征层和背场,能显著地提高电池的性能。加入缺陷并优化各项参数后,电池的最后参数为VOC=647.7 mV, JSC=42.29 mA·cm-2, FF=75.32%, EFF=20.63%, β-FeSi2(n) /c-Si(p)太阳能电池的效率提高了2.3%。

关 键 词:afors-het  β-FeSi2  少数载流子  本征层  背场
收稿时间:2016/3/21 0:00:00
修稿时间:2016/3/29 0:00:00
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