| Cu2ZnSnS4/Si异质结器件的制备及特性研究 |
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| 引用本文： | 李琳,文亚南,董燕,汪壮兵,梁齐. Cu2ZnSnS4/Si异质结器件的制备及特性研究[J]. 真空, 2012, 49(5): 45-48 |
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| 作者姓名： | 李琳 文亚南 董燕 汪壮兵 梁齐 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥,230009 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51072043) |
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| 摘 要： | 利用脉冲激光沉积法在不同电阻率的n型Si(100)基片上沉积Cu2ZnSnS4薄膜,制备p-Cu2ZnSnS4/n-Si异质结.利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDS)和原子力显微镜(AFM)对Cu2ZnSnS4薄膜的结构、组分和形貌进行表征,并对器件进行I-V测试,讨论不同电阻率的Si对异质结器件光电特性的影响.结果表明,器件有良好的整流特性,Si电阻率大的器件光电响应比较好,而Si电阻率小的器件光伏效应比较明显.
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 Cu2ZnSnS4/Si异质结 I-V特性 |
Fabrication and characterization of Cu2ZnSnS4/Si heterojunction devices |
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| LI Lin , WEN Ya-nan , DONG Yan , WANG Zhuang-bing , LIANG Qi. Fabrication and characterization of Cu2ZnSnS4/Si heterojunction devices[J]. Vacuum(China), 2012, 49(5): 45-48 |
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| Authors: | LI Lin WEN Ya-nan DONG Yan WANG Zhuang-bing LIANG Qi |
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| Affiliation: | (School of Electronic Science and Applied Physics,Hefei University of Technology,Hefei 230009,China) |
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