| GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究 |
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| 引用本文： | 刘文莉,李林,钟景昌,王晓华,刘国军.GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究[J].光电子技术与信息,2005,18(4):23-25. |
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| 作者姓名： | 刘文莉 李林 钟景昌 王晓华 刘国军 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022 |
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| 基金项目： | 高功率半导体激光国家重点实验室基金（ZS3603） |
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| 摘 要： | 分子束外延生长GaAlAs／GaAs量子阱材料时，适当的衬底温度和Ⅴ／Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化，获得了高质量的量子阱材料，有源层分别为8nm、10nm、12nm时，10K下的PL谱半峰宽（FWHM）分别为6．42meⅤ、6．28meⅤ、6．28meⅤ。
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| 关 键 词： | 量子阱 光荧光（PL）谱 Ⅴ／Ⅲ束流比 |
| 文章编号： | 1006-1231(2005)04-0023-03 |
| 收稿时间： | 2004-10-09 |
| 修稿时间： | 2004年10月9日 |
Study on Photolurninescence of GaAlAs/GaAs Quantum Well Materials |
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| LIU Wen-li,LI Lin,ZHONG Jing-chang,WANG Xiao-hua,LIU Guo-jun.Study on Photolurninescence of GaAlAs/GaAs Quantum Well Materials[J].Optoelectronic Technology & Information,2005,18(4):23-25. |
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| Authors: | LIU Wen-li LI Lin ZHONG Jing-chang WANG Xiao-hua LIU Guo-jun |
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