| 新型Ge_xSi_(1-x)/Si异质结远红外探测器 |
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| 引用本文： | 龚大卫,杨小平,卫星,郑国祥,胡际璜,张翔九,盛篪,王迅,董健民,吴作良,梁平治.新型Ge_xSi_(1-x)/Si异质结远红外探测器[J].半导体学报,1993,14(4):260-263. |
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| 作者姓名： | 龚大卫 杨小平 卫星 郑国祥 胡际璜 张翔九 盛篪 王迅 董健民 吴作良 梁平治 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所 上海 200433，上海 200433，上海 200433，上海 200433 复旦大学材料科学系，上海 200433，上海 200433，上海 200433，上海 200433，上海 200083，上海 200083，上海 200083 |
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| 摘 要： | 用分子束外延技术结合硅平面工艺研制成了Ge_xSi_(1-x)/Si异质结远红外探测器。测试结果表明,界面势垒高度低于0.09eV,预计对应的工作波长可从2μm到12μm以上。50K时的探测率(黑体_(873k)~*)优于2×10~8cm·Hz~(1/2)/W,30K为6×10~8cmHz~(1/2)/W,对500K黑体,30K工作温度下D_(500k)~*为1.6×10~8cm·Hz~(1/2)/W。由于探测器为宽带型,虽然峰值D~*并不很高,但在30℃的环境辐射背景下,对人体温度的辐射也有较强烈的响应。
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