等径角挤扭法制备的SiC_p/Al复合材料界面、晶格畸变和位错密度（英文）

在523 K下,利用等径角挤扭变形工艺(ECAP-T)将纯Al和经氧化处理的Si C混合粉末固结成10%Si Cp/Al复合材料。采用透射电镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)对所制备的复合材料界面进行观察,并对相应选区电子衍射花样(SAED)进行标定。利用能谱仪(EDS)对界面结合处进行元素含量测定,并对试样选区部分进行面分布扫描。采用X射线衍射仪(XRD)对不同变形道次(1,2和4道次)所制备的复合材料进行分析。研究结果表明,ECAP-T变形后,Al和Si C之间的界面相属于一种非晶态Si O2层,并含有少量从基体和增强颗粒扩散进入的元素(Al,Si和C);随着ECAP-T变形道次的增加,复合材料中Al晶粒的晶格应变不断增加,导致晶内位错密度增大,其典型晶面的布拉格衍射角逐渐减小,而晶面间距逐渐增大。