| 基底偏压对BN薄膜场发射特性的影响 |
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| 引用本文： | 顾广瑞 王剑飞 李哲奎 郭振平. 基底偏压对BN薄膜场发射特性的影响[J]. 延边大学学报(自然科学版), 2005, 31(1): 18-22 |
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| 作者姓名： | 顾广瑞 王剑飞 李哲奎 郭振平 |
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| 作者单位： | [1]延边大学理工学院物理系，吉林延吉133002 [2]长春大学学工处，吉林长春130022 |
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| 基金项目： | 国家863资助项目(2002AA305507) |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射方法，在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼薄膜(BN)．通过分析电流密度-电场强度曲线，发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压影响很大，基底偏压为-140V时BN薄膜样品场发射特性要好于其它样品，阈值电场低于8V／μm．F-N曲线表明：电子是通过隧道效应克服BN薄膜表面势垒发射到真空的．
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| 关 键 词： | BN薄膜 场发射 偏压 粗糙度 |
Influence of substrate bias on field emission characteristics of BN thin films |
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| GU Guang-rui,WANG Jian-fei,LI Zhe-kui,GUO Zhen-ping. Influence of substrate bias on field emission characteristics of BN thin films[J]. Journal of Yanbian University (Natural Science), 2005, 31(1): 18-22 |
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| Authors: | GU Guang-rui WANG Jian-fei LI Zhe-kui GUO Zhen-ping |
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| Affiliation: | GU Guang-rui~1,WANG Jian-fei~2,LI Zhe-kui~1,GUO Zhen-ping~1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BN thin films Field emission Bias Roughness |
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