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| 高TC超导Bi2223／Ag带的临界电流 | |
| 作者姓名： | 汪京荣 |
| 摘 要： | 在超导体载流能力研究中，一般用Jc（B）αB－α（幂定律）来描述低磁场区（77K，10mT—100mT）的行为，而在高磁场区用Jc（B）We（-B／B0）（指数关系）来描述，这两种不同的磁场关系反映不同的耗散机制．带状BQ223化合物是高度各向异性的多晶材料，由于材料小的相干长度，沿品界的缺陷会治污晶粒的连接性从而导致弱连接．小的相干长度、大的穿透深度、以及陆通结构的二维特性，导致材料相当低的钉扎势，从而引发磁通烧动乃至在一定温度下的磁通流动．限制载流能力的这两种重要耗散机制：弱连接电流抑制和磁通运动，都与存在磁场有关… |
| 关 键 词： | 超导体 超导带 高Tc 临界电流 |
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