透明导电材料Cd_2SnO_4的制备Ⅰ-固相烧结制备原料粉体

将不同配比的Cd O与Sn O2原料粉体充分混合后在750℃,850℃,950℃,1050℃,1150℃温度下进行无压烧结。采用XRD衍射仪和四探针电阻测试仪分析原料配比与烧结温度对无压烧结Cd2Sn O4靶材结构演化和电阻率的影响。结果表明:750~850℃低温无压烧结时,扩散反应发生缓慢,只有少量的Cd2Sn O4生成,大部分Cd和Sn元素以氧化物的形式存在。950~1050℃无压烧结,随着温度升高,扩散反应速率较快,发生大量合成反应生成Cd2Sn O4,当Sn O2过量时,Cd O完全参加反应。当温度上升至1150℃时,Cd2Sn O4含量大幅度增加,伴随出现第二相Cd Sn O3。四探针测试结果显示:随着温度的升高,Cd2Sn O4主相含量增加,靶材电阻率逐渐降低至19.9×10-3Ω·cm。根据无压烧结实验的固相演化规律,采用2∶1化学计量比的Cd O与Sn O2粉体为原料,充分混合后在1000℃下煅烧2~3小时,可得到均匀单相亮黄色Cd2Sn O4原料粉体。