| 薄膜厚度对多层膜巨磁阻抗效应的影响研究 |
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| 引用本文： | 周勇,丁文,陈吉安,高孝裕,王明军,张亚民.薄膜厚度对多层膜巨磁阻抗效应的影响研究[J].功能材料与器件学报,2004,10(2):165-170. |
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| 作者姓名： | 周勇 丁文 陈吉安 高孝裕 王明军 张亚民 |
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| 作者单位： | 上海交通大学微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200030;上海交通大学微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200030;上海交通大学微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200030;上海交通大学微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200030;上海交通大学微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200030;上海交通大学微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200030 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.50275096)，教育部高等学校博士学科点专项基金，上海市纳米专项的资助 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FeSiB／Cu／FeSiB多层膜，在100kHz～40MHz范围内研究了FeSiB薄膜厚度对FeSiB／Cu／FeSiB多层膜巨磁阻抗效应的影响。当磁场施加在薄膜的纵向时，巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加，在某一磁场下达到最大值，然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。当FeSiB薄膜的厚度为1．8μm时，在频率3．2MHz、磁场2．4kA／m时，多层膜巨磁阻抗效应达最大值13．5％；在磁场为9．6kA／m时，巨磁阻抗效应为-9．2％。然而，当FeSiB薄膜的厚度为1μm时，多层膜的巨磁阻抗效应在频率40MHz、磁场1．6kA／m时达最大值5．8％。另外，当磁场施加在薄膜的横向时，薄膜表现出负的巨磁阻抗效应。对于膜厚为1．8μm的FeSiB薄膜，在频率5．2MHz、磁场9．6kA／m时，巨磁阻抗效应为-12％。可见巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及FeSiB薄膜的厚度有关。
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| 关 键 词： | 巨磁阻抗效应 非晶FeSiB薄膜 FeSiB/Cu/FeSiB多层膜 薄膜厚度 |
| 文章编号： | 1007-4252(2004)02-0165-06 |
| 修稿时间： | 2003年8月11日 |
Thickness effect on giant magnetoimpedance in multilayered films |
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| ZHOU Yong,DING Wen,CHEN Ji-an,GAO Xiao-yu,WANG Ming-jun,ZHANG Ya-min.Thickness effect on giant magnetoimpedance in multilayered films[J].Journal of Functional Materials and Devices,2004,10(2):165-170. |
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| Authors: | ZHOU Yong DING Wen CHEN Ji-an GAO Xiao-yu WANG Ming-jun ZHANG Ya-min |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | giant magnetoimpedance amorphous FeSiB film multilayered FeSiB/Cu/FeSiB films film thickness |
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