| a-C:F薄膜结构与电学性能研究 |
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| 引用本文： | 吴振宇,杨银堂,汪家友. a-C:F薄膜结构与电学性能研究[J]. 真空科学与技术学报, 2006, 26(1): 36-39,65 |
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| 作者姓名： | 吴振宇 杨银堂 汪家友 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 摘 要： | 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R（R=[CH4]/（[CH4]＋[C4F8]））条件下沉积氟化非晶碳（a-C：F）薄膜.用原子力显微镜（AFM）分析了薄膜的表面形貌.用柯西（Cauchy）模型和Levenberg-Marquardt非线性迭代算法分析了薄膜的椭圆光谱.用X光电子能谱（XPS）和傅里叶变换红外光谱（FTIR）技术分析了薄膜的化学成分.随着气体流量比R的增大a-C：F薄膜C-C键结构增多,薄膜C/F比增大.a-C：F薄膜的介电常数取决于电子极化并随R的增大而上升.a-C：F薄膜导电行为在低场强区域呈现欧姆特性,在高场强区域符合Poole-Frankel机制.随着C-C含量的增大,π价带态和π＊导带态之间的带隙减小,电荷陷阱深度减小,陷阱中的电子在场增强热激发作用下更容易进入导带,导致薄膜漏电流增加.
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| 关 键 词： | 电学性能 化学组分 |
| 文章编号： | 1672-7126（2006）01-036-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-27 |
| 修稿时间： | 2005-04-27 |
Microstructures and Electrical Properties of a-C:F Films Grown by Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition |
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| Wu Zhenyu,Yang Yintang,Wang Jiayou. Microstructures and Electrical Properties of a-C:F Films Grown by Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2006, 26(1): 36-39,65 |
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| Authors: | Wu Zhenyu Yang Yintang Wang Jiayou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a-C:F ECR-CVD |
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