| Ar/CHF_3反应离子束刻蚀SiO_2的研究 |
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| 引用本文： | 王一鸣,熊瑛,刘刚,田扬超. Ar/CHF_3反应离子束刻蚀SiO_2的研究[J]. 微细加工技术, 2005, 0(3) |
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| 作者姓名： | 王一鸣 熊瑛 刘刚 田扬超 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室 合肥230029(王一鸣，熊瑛，刘刚)，中国科学技术大学国家同步辐射实验室 合肥230029(田扬超) |
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| 摘 要： | 介绍了Ar/CHF3反应离子束刻蚀和离子束入射角对图形侧壁陡直度及刻蚀选择比的影响。使用紫外曝光技术在SiO2基片上获得光刻胶掩模图形,采用Ar CHF3来刻蚀石英基片,调节二者的流量配比,混合后通入离子源。在Ar和CHF3的流量比为1∶2,总压强为2×10-2Pa,离子束流能量为450 eV,束流为80 mA,加速电压220 V~240 V,离子束入射角15°并旋转样品台的情况下,刻蚀20 min后,得到光栅剖面倾角陡直度为80°~90°。同时发现,添加CHF3后,提高了SiO2的刻蚀速率和刻蚀SiO2与光刻胶的选择比,最高可达7∶1。
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| 关 键 词： | 反应离子束刻蚀 入射角 侧壁陡直度 选择比 |
Research on Ar/CHF_3 Reactive Ion Beam Etching of SiO_2 |
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| WANG Yi-ming,XIONG Ying,LIU Gang,TIAN Yang-chao. Research on Ar/CHF_3 Reactive Ion Beam Etching of SiO_2[J]. Microfabrication Technology, 2005, 0(3) |
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| Authors: | WANG Yi-ming XIONG Ying LIU Gang TIAN Yang-chao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | reactive ion beam etching incidence angle sidewall angle selective ratio |
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