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| RTP改善超薄SiO2膜特性的研究 | |
| 引用本文： | 熊大菁,江思思.RTP改善超薄SiO2膜特性的研究[J].半导体技术,1997(4):34-36. |
| 作者姓名： | 熊大菁 江思思 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容，ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中介栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ＾２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出具有实有价值。 |
| 关 键 词： | RTP 热氮化 二氧化硅 氮氧化硅 ULSI |
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