| CVI法快速制备C/SiC复合材料 |
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| 引用本文： | 肖鹏,徐永东,黄伯云. CVI法快速制备C/SiC复合材料[J]. 硅酸盐学报, 2002, 30(2): 240-243 |
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| 作者姓名： | 肖鹏 徐永东 黄伯云 |
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| 作者单位： | 1. 中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083
2. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (5 9772 0 3 1) |
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| 摘 要： | 为缩短CVI法制备C／SiC复合材料的工艺周期并降低成本，研究了CVI工艺过程中沉积温度、MTS（CH3SiC3)摩尔分数和气体流量对SiC沉积速率和MTS有效利用率的影响，实验结果表明：提高沉积温度，常压下1100℃时增大MTS摩尔分数（11％→19％），都有利于提高SiC沉积速率；提高沉积温度和降低反应物气体流量，能提高MTS有效利用率，在优化的工艺条件下，预制体的微观孔隙内沉积了致密的SiC基体，沉积速率达到142μm/h左右，并有效消除了基体中裂纹的形成，MTS的有效利用率为11％－27％。
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| 关 键 词： | 碳／碳化硅 化学气相浸渗 沉积速率 有效利用率 复合材料 CVI法 制备 陶瓷基 |
| 文章编号： | 0454-5648(2002)02-0240-04 |
| 修稿时间： | 2001-06-05 |
RAPID FABRICATION OF C/SiC COMPOSITES USING CHEMICAL VAPOR INFILTRATION METHOD |
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| XIAO Peng ,XU Yongdong ,HUANG Baiyun. RAPID FABRICATION OF C/SiC COMPOSITES USING CHEMICAL VAPOR INFILTRATION METHOD[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2002, 30(2): 240-243 |
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| Authors: | XIAO Peng XU Yongdong HUANG Baiyun |
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| Affiliation: | XIAO Peng 1,XU Yongdong 2,HUANG Baiyun 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | carbon/silicon carbide chemical vapor infiltration deposition rate conversion efficiency composites |
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