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| 硼离子注入硅的剖面分布 | |
| 引用本文： | 李国辉,王兴民,卢志恒,张通和,田淑芸.硼离子注入硅的剖面分布[J].半导体学报,1983,4(4):374-382. |
| 作者姓名： | 李国辉 王兴民 卢志恒 张通和 田淑芸 |
| 作者单位： | 北京师范大学低能物理研究所 (李国辉，王兴民，卢志恒，张通和)，北京师范大学低能物理研究所(田淑芸) |
| 摘 要： | 本文研究了硼离子注入硅的载流子浓度分布.实验表明,载流子浓度分布可以近似用线性扩散方程的解来描述.因此,通过结深的实验值得到了一套随注入剂量,退火温度和时间变化的扩散系数.用这套扩散系数又可以计算出能量 40-400keV,剂量5×10~(13)-1×10~(15)cm~(-2),退火温度900℃-1100℃,退火时间15分-2 小时这个范围内的载流子浓度分布. |
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