| 具有部分n~+浮空埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构 |
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| 引用本文： | 朱辉,李琦,黄远豪.具有部分n~+浮空埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构[J].桂林电子科技大学学报,2014(5). |
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| 作者姓名： | 朱辉 李琦 黄远豪 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学 广西信息科学实验中心,广西 桂林,541004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，电子薄膜与集成器件国家重点实验室项目，桂林电子科技大学研究生教育创新计划 |
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| 摘 要： | 为了抑制衬底辅助耗尽(SAD)效应并提高超结器件击穿电压,提出一种具有部分n+浮空层SJ-LDMOS新结构。n+浮空等位埋层能够调制器件横向电场,使得partial n+-floating SJ-LDMOS比传统SJ-LDMOS具有更加均匀的电场分布。通过三维仿真软件对新器件结构分析,与传统SJ-LDMOS进行比较。仿真结果表明,具有部分n+浮空层SJ-LDMOS结构的器件能将器件的击穿电压从138V提高到302V,且比导通电阻也从33.6mΩ·cm2降低到11.6mΩ·cm2,获得一个较为理想的低导通电阻高压功率器件。
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| 关 键 词： | 部分n+浮空层 SJ-LDMOS 击穿电压 |
A new high-voltage SJ-LDMOS with partial n+-floating layer |
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| Zhu Hui,Li Qi,Huang Yuanhao.A new high-voltage SJ-LDMOS with partial n+-floating layer[J].Journal of Guilin Institute of Electronic Technology,2014(5). |
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| Authors: | Zhu Hui Li Qi Huang Yuanhao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | partial n+-floating layer SJ-LDMOS breakdown voltage |
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