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| 纳米Al2O3掺杂对厚膜应变电阻性能的影响 | |
| 引用本文： | 马以武.纳米Al2O3掺杂对厚膜应变电阻性能的影响[J].功能材料,1998,29(4):386-389. |
| 作者姓名： | 马以武 |
| 作者单位： | 中国科学院合肥智能机械研究所 |
| 摘 要： | 采用粒子尺寸为８ｎｍ的纳米Ａｌ２Ｏ３作掺杂改性剂，通过选择合适粒径和配比的导电相、玻璃及烧结工艺，得到一种ＧＦ为１３、电阻温度系数小、稳定性良好的在厚膜应变电阻，并从厚膜电阻导电机理和纳米材料特性出发。 |
| 关 键 词： | 纳米氧化铝 厚膜应变电阻 传感器 应变 掺杂 |
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