| 微波ECR—CVD低温SiNx薄膜的氢含量分析 |
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| 引用本文： | 叶超,宁兆元.微波ECR—CVD低温SiNx薄膜的氢含量分析[J].功能材料,1998,29(1):89-91. |
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| 作者姓名： | 叶超 宁兆元 |
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| 作者单位： | 苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料实验室!苏州，215006，苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料实验室!苏州，215006，苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料实验室!苏州，215006，苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料实验室!苏州，215006，苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料实验室!苏 |
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| 摘 要： | 利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）法在低温条件下制备的ＳｉＮ。膜的键的结构和氢含量，分析了微波 功率和后处理条件对膜含量的影响及其成因，提出适当提高微波功率是降低微波ＥＣＲ－ＣＶＤ低温ＳｉＮｘ膜中氢含量的可能途径。
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| 关 键 词： | 薄膜 氢含量 微波 ECR－CVD 低温 氮化硅 |
Hydrogen Content of SiN_x Films Deposited by ECR-CVD at Low Temperature |
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| Ye Chao,Ning Zhaoyuan,Wang Hao,Shen Mingrong,Gan Zhaoqiang.Hydrogen Content of SiN_x Films Deposited by ECR-CVD at Low Temperature[J].Journal of Functional Materials,1998,29(1):89-91. |
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| Authors: | Ye Chao Ning Zhaoyuan Wang Hao Shen Mingrong Gan Zhaoqiang |
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| Abstract: | The hydrogen contents of SiN x films deposited by microwave electron cyclotron resonance (ECR) plasma chemical vapor deposition (CVD) at low substrate temperature are investigated by infrared spectra technique. The effect of the microwave power, plasma and annealing treatment on hydrogen content in SiN x films is analyzed and discussed in terms of hydrogen bond formation. It is proposed that increasing microwave power properly is a possible way to decrease the hydrogen content in SiN x films. |
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| Keywords: | SiN x films hydrogen content microwave ECR CVD |
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