| LDO稳压器电磁脉冲损伤阈值试验研究 |
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| 引用本文： | 崔志同,毛从光,孙蓓云,翟爱斌,靳茗. LDO稳压器电磁脉冲损伤阈值试验研究[J]. 微电子学, 2013, 43(3) |
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| 作者姓名： | 崔志同 毛从光 孙蓓云 翟爱斌 靳茗 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,西安,710024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 针对低压差线性稳压器,采用接触式脉冲电流注入试验方法,研究电磁脉冲对集成半导体器件的损伤机理,并对试验数据进行统计分析.结果显示,该器件的电磁脉冲损伤阈值规律可以用Weibull分布函数较好地进行表征.
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| 关 键 词： | 电磁脉冲 低压差线性稳压器 损伤阈值 Weibull分布 |
Damage Threshold Characterization of LDO Regulator for EMP Interference |
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| CUI Zhitong,MAO Congguang,SUN Beiyun,ZHAI Aibin,JIN Ming. Damage Threshold Characterization of LDO Regulator for EMP Interference[J]. Microelectronics, 2013, 43(3) |
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| Authors: | CUI Zhitong MAO Congguang SUN Beiyun ZHAI Aibin JIN Ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | EMP LDO Damage threshold Weibull distribution |
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