| 一种高精度带隙电压基准源改进设计 |
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| 引用本文： | 徐勇,王志功,关宇,乔庐峰,赵斐. 一种高精度带隙电压基准源改进设计[J]. 半导体学报, 2006, 27(12): 2209-2213 |
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| 作者姓名： | 徐勇 王志功 关宇 乔庐峰 赵斐 |
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| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所，南京 210096;解放军理工大学，南京 211101;东南大学射频与光电集成电路研究所，南京 210096;解放军理工大学，南京 211101;解放军理工大学，南京 211101;解放军理工大学，南京 211101 |
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| 摘 要： | 在原有经典三条支路结构的带隙基准电路基础上,通过减少带隙电压源的电流源镜像次数及控制电流源漏源电压,在减小器件失配影响的同时,进一步减小了沟道长度调制效应的影响,大幅度提高了基准电压源的精度,降低了温度系数.封装后200片统计测试的结果:输出电压精度为1.23±0.02V,标准偏差σ仅为0.007V,-40～85℃范围内的温度系数测试值在16ppm附近,芯片电源电流为100μA.该改进电路的设计仿真结果和流片测试结果有很高的一致性.
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| 关 键 词： | 带隙基准 电压基准源 沟道调制 电源抑制比 电压精度 带隙电压基准源 改进设计 High Accuracy Bandgap Voltage Reference Design 一致性 测试结果 仿真结果 改进电路 电源电流 芯片 测试值 范围 标准偏差 输出 统计测试 封装 温度系数 基准电压源 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)12-2209-05 |
| 收稿时间： | 2006-06-12 |
| 修稿时间： | 2006-07-29 |
Improved Design of a Bandgap Voltage Referencewith High Accuracy |
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| Xu Yong,Wang Zhigong,Guan Yu,Qiao Lufeng and Zhao Fei. Improved Design of a Bandgap Voltage Referencewith High Accuracy[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(12): 2209-2213 |
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| Authors: | Xu Yong Wang Zhigong Guan Yu Qiao Lufeng Zhao Fei |
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| Affiliation: | Institute of RF- & OE-ICs,Southeast University,Nanjing 210096,China;PLA University of Science and Technology,Nanjing 211101,China;Institute of RF- & OE-ICs,Southeast University,Nanjing 210096,China;PLA University of Science and Technology,Nanjing 211101,China;PLA University of Science and Technology,Nanjing 211101,China;PLA University of Science and Technology,Nanjing 211101,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap voltage reference channel modulation power-supply rejection ratio |
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