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自加热非晶锗热电阻MEMS流速传感器的制造与测试
引用本文:赵韦良,崔峰.自加热非晶锗热电阻MEMS流速传感器的制造与测试[J].半导体光电,2023,44(2):175-180.
作者姓名:赵韦良  崔峰
作者单位:上海交通大学 微纳电子学系 微米纳米加工技术国家级重点实验室, 上海 200240
基金项目:航天科学技术基金项目(20C-JJ02-011);上海市科委专业技术服务平台资助项目(19DZ2291103).*通信作者:崔峰 E-mail:sdcuifeng@sjtu.edu.cn
摘    要:为扩大流速传感器的测量范围并降低功耗,制造并测试了一种基于自加热非晶锗薄膜热电阻的MEMS流速传感器,它是由嵌入氮化硅薄膜的四个非晶锗热敏电阻和一对环境测温补偿电阻组成。四个非晶锗热电阻同时作为自加热热源和测温元件,相互连接以形成惠斯通电桥。给出了MEMS工艺流程,微加工制造了尺寸为8.9 mm×5.6 mm×0.4 mm的流速传感器芯片。搭建了低流速和高流速气流通道实验装置,对传感器的惠斯通电桥施加50μA的恒定电流(CCA),实现了0~50 m/s范围内的流速测量。结果表明,传感器在低流速(0~2 m/s)时的灵敏度约为81.6 mV/(m/s),在高流速(2~50 m/s)时的灵敏度约为51.9 mV/(m/s),最大功耗仅约为1.03 mW。

关 键 词:MEMS  流速传感器  非晶锗薄膜热电阻  自加热  恒电流工作
收稿时间:2023/1/2 0:00:00

Fabrication and Testing of MEMS Velocity Sensor Based on Self-Heating Amorphous Germanium Thermistors
ZHAO Weiliang,CUI Feng.Fabrication and Testing of MEMS Velocity Sensor Based on Self-Heating Amorphous Germanium Thermistors[J].Semiconductor Optoelectronics,2023,44(2):175-180.
Authors:ZHAO Weiliang  CUI Feng
Affiliation:National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, Department of Micro/Nano Electronics, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, CHN
Abstract:
Keywords:MEMS  flow velocity sensor  amorphous germanium thin film thermistors  self-heating  constant current operation
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