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| 光泵外腔面发射InGaAs／InP半导体激光器 | |
| 引用本文： | 向望华,町田进,渡部仁贵,山本喜久.光泵外腔面发射InGaAs／InP半导体激光器[J].半导体学报,1995,16(11):854-856. |
| 作者姓名： | 向望华 町田进 渡部仁贵 山本喜久 |
| 作者单位： | 天津大学精仪系，日本ＮＴＴ基础研究所物性部 |
| 摘 要： | 本文报道了外腔面发射ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ半导体激光器的实验结果．利用面发射ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ半导体材料作为激活介质，采用锁模（或连续）Ｎｄ＋３：ＹＡＧ激光（波长１．３２μｍ）泵浦．平均输出功率达１８７ｍＷ，同步泵浦获得最窄脉冲宽度为６ｐｓ，输出波长１．５μｍ，利用衍射光栅对脉冲进行压缩获得１８１ｆｓ超短光脉冲． |
| 关 键 词： | 半导体激光器 光泵 InGaAs 磷化铟 |
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