| ZnO:Al薄膜的制备及表征 |
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| 引用本文： | 洪伟铭. ZnO:Al薄膜的制备及表征[J]. 半导体光电, 2007, 28(3): 370-374 |
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| 作者姓名： | 洪伟铭 |
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| 作者单位： | 湛江师范学院,广东,湛江,524048 |
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| 摘 要： | 利用溶胶-凝胶法在蓝宝石(0001)衬底上制备了多晶ZnO:Al薄膜,薄膜表面具有特殊的交叉链状形貌.随着掺铝浓度的提高,链条有明显变细的趋势.X射线衍射证实,提高掺铝浓度有利于促进薄膜沿(002)方向的生长,并且光学带隙随着掺杂浓度的提高从3.21 eV增大到3.25 eV.光致发光光谱显示,薄膜在390 nm处出现较强的紫外峰,同时还出现了与Zn空位和Zn填隙缺陷能级有关的415 nm和440 nm两个比较弱的蓝峰.对实验结果以及产生的机理进行了分析和讨论.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 Al掺杂 光致发光 吸收光谱 溶胶-凝胶法 |
| 文章编号： | 1001-5868(2007)03-0370-05 |
| 修稿时间： | 2007-01-29 |
Preparation and Characteristics of ZnO:Al Thin Films Prepared by Sol-gel Technique |
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| HONG Wei-ming. Preparation and Characteristics of ZnO:Al Thin Films Prepared by Sol-gel Technique[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2007, 28(3): 370-374 |
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| Authors: | HONG Wei-ming |
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