| 衬底温度对射频磁控溅射制备HfO2薄膜结构的影响 |
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| 引用本文： | 闫丹,吴平,邱宏,俞必强,赵云清,张师平,吕反修.衬底温度对射频磁控溅射制备HfO2薄膜结构的影响[J].功能材料与器件学报,2008,14(5). |
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| 作者姓名： | 闫丹 吴平 邱宏 俞必强 赵云清 张师平 吕反修 |
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| 作者单位： | 北京科技大学应用学院物理系,北京,100083;北京科技大学机械学院,北京,100083;北京科技大学材料与工程学院,北京,100083 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在氧氩比为0.2的混合气氛中,分别在室温、100℃、200℃、250℃、300℃、350℃和400℃温度下,在P-Si(100)衬底上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD和AFM研究了衬底温度与薄膜沉积速率对微结构的影响.结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜沉积速率呈减小趋势.室温沉积的HfO2薄膜为非晶态,当衬底温度高于100℃,薄膜出现单斜晶相,随着衬底温度继续增加,(111)择优取向更加明显,晶粒尺寸增大,薄膜表面粗糙度减小.
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 HfO2薄膜 衬底温度 微观结构 |
Effect of substrate temperature on microstructures of HfO2 films deposited by RF magnetron sputtering |
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| YAN Dan,WU Ping,QIU Hong,YU Bi-qiang,ZHAO Yun-qing,ZHANG Shi-ping,LV Fan-xiu.Effect of substrate temperature on microstructures of HfO2 films deposited by RF magnetron sputtering[J].Journal of Functional Materials and Devices,2008,14(5). |
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| Authors: | YAN Dan WU Ping QIU Hong YU Bi-qiang ZHAO Yun-qing ZHANG Shi-ping LV Fan-xiu |
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