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| 低剂量中子辐照氢气氛和氩气氛生长区熔硅的深能级瞬态谱研究 | |
| 引用本文： | 杜永昌,张玉峰,秦国刚.低剂量中子辐照氢气氛和氩气氛生长区熔硅的深能级瞬态谱研究[J].半导体学报,1984,5(1):7-15. |
| 作者姓名： | 杜永昌 张玉峰 秦国刚 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 (杜永昌，张玉峰)，北京大学物理系(秦国刚) |
| 摘 要： | 用深能级瞬态谱研究了如下三种N型区熔硅在低剂量中子辐照下的电子陷阱及其退火行为,(1)氩气氛生长,(2)氢气氛生长,(3)氢气氛生长并在中照前作650℃/30分热处理.含氢样品中A中心的生成率约为同剂量中照不含氢样品的50％.由于热释放空位,从室温到190℃热退火过程中A中心和双空位的浓度随退火温度的升高而增加.当退火温度高于230℃,中照含氢硅中A中心和双空位浓度的下降比不含氢硅样品要快得多,这可用原子氢的扩散加速了对缺陷的钝化来解释.等时退火到高于250℃,氢气氛和氩气氛生长区熔硅样品都出现了新的电子陷阱,对它们的可能结构进行了讨论. |
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