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| 基于MOCVD高/低温调制生长AlN模板材料方法 | |
| 作者姓名： | 龙长林 陈峰武 陈洪 |
| 摘 要： | 宽禁带半导体紫外光电器件和功率半导体器件的发展对AlN材料和高Al组分AlGaN材料有着迫切的需求.由于缺乏大尺寸AlN同质衬底,基于异质外延生长的AlN模板材料成为了宽禁带半导体器件制造的最佳选择.但是,由于Al原子表面迁移能力较差,AlN外延材料表面易呈现岛状生长模式,导致AlN模板材料的晶体质量和表面质量较差,严... |
| 关 键 词： | AlN 高温MOCVD 晶体质量 表面质量 |
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