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杂志ISSN号
基于MOCVD高/低温调制生长AlN模板材料方法
作者姓名:
龙长林
陈峰武
陈洪
摘 要:
宽禁带半导体紫外光电器件和功率半导体器件的发展对AlN材料和高Al组分AlGaN材料有着迫切的需求.由于缺乏大尺寸AlN同质衬底,基于异质外延生长的AlN模板材料成为了宽禁带半导体器件制造的最佳选择.但是,由于Al原子表面迁移能力较差,AlN外延材料表面易呈现岛状生长模式,导致AlN模板材料的晶体质量和表面质量较差,严...
关 键 词:
AlN
高温MOCVD
晶体质量
表面质量
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