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聚酰亚胺/介孔二氧化硅复合薄膜的介电性能研究
引用本文:马兰杰,杨志强,党智敏.聚酰亚胺/介孔二氧化硅复合薄膜的介电性能研究[J].绝缘材料,2008,41(2):60-63.
作者姓名:马兰杰  杨志强  党智敏
作者单位:北京化工大学,纳米材料先进制备技术与应用科学教育部重点实验室,北京,100029;首钢技术研究院,北京,100041
摘    要:采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺(PI)/介孔二氧化硅(MCM-41)复合薄膜。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)观察到MCM-41粒子规整的六方立体结构,通过扫描电子显微镜(SEM)研究了MCM-41粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态以及MCM-41粒子添加量对该复合薄膜介电性能的影响。结果表明:PI复合薄膜的体积电阻率和电气强度都有不同程度的提高。与纯PI相比,MCM-41含量为3.0%时,复合薄膜体积电阻率提高了一个数量级,由2.8×1014Ω.m增至2.1×1015Ω.m,同时介电常数从3.26降至2.86,介质损耗因数无显著变化。

关 键 词:聚酰亚胺  MCM-41  复合薄膜  低介电常数  电气强度  电阻率
文章编号:1009-9239(2008)02-0060-04
修稿时间:2008年1月23日

Dielectric Properties of Polyimide/Mesoporous Silica Composite Films
MA Lan-jie,YANG Zhi-qiang,DANG Zhi-min.Dielectric Properties of Polyimide/Mesoporous Silica Composite Films[J].Insulating Materials,2008,41(2):60-63.
Authors:MA Lan-jie  YANG Zhi-qiang  DANG Zhi-min
Abstract:
Keywords:polyimide  MCM-41  composite films  low dielectric constant  dielectric strength  resistivity
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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