| 半透明氮化硅陶瓷的放电等离子烧结制备及性能 |
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| 引用本文： | 熊焰,傅正义,王皓. 半透明氮化硅陶瓷的放电等离子烧结制备及性能[J]. 硅酸盐学报, 2007, 35(3): 289-292 |
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| 作者姓名： | 熊焰 傅正义 王皓 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070 |
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| 基金项目： | 教育部项目(PCSIRT) , 湖北省创新群体基金 |
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| 摘 要： | 用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)技术,以质量分数(下同)为9%氮化铝(A1N),3%氧化镁(MgO)为烧结助剂,在1850℃烧结5min,成功制备了半透明氮化硅(Si3N4)陶瓷.半透明Si3N4陶瓷在中红外波段表现出良好的透过率,最大透过率为66.4%.SPS的快速致密化过程保证了烧结体具有良好的晶体结构,有利于提高透过率.SPS快速的烧结过程和A1N和MgO的加入能够有效抑制烧结过程中Si3N4陶瓷由α相向β相的转变,是制备光学性能良好的Si3N4陶瓷的关键.报道了半透明Si3N4陶瓷的其他性能.光学性能与其他性能的结合,势必大大拓宽Si3N4陶瓷的应用领域.
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| 关 键 词： | 透明氮化硅陶瓷 透过率 放电等离子烧结 相变 |
| 文章编号： | 0454-5648(2007)03-0289-04 |
| 修稿时间： | 2006-09-20 |
PREPARATION AND PROPERTIES OF TRANSLUCENT SILICON NITRIDE CERAMICS BY THE SPARK PLASMA SINTERING |
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| XIONG Yan,FU Zhengyi,WANG Hao. PREPARATION AND PROPERTIES OF TRANSLUCENT SILICON NITRIDE CERAMICS BY THE SPARK PLASMA SINTERING[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2007, 35(3): 289-292 |
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| Authors: | XIONG Yan FU Zhengyi WANG Hao |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | translucent silicon nitride ceramics transmittance spark plasma sintering phase transformation |
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