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MoS2/Ti3SiC2层状复合材料的制备
引用本文:梅方胜,梅炳初,周卫兵,余晓娟.MoS2/Ti3SiC2层状复合材料的制备[J].稀有金属快报,2007,26(5):21-25.
作者姓名:梅方胜  梅炳初  周卫兵  余晓娟
作者单位:武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070
摘    要:采用热压烧结方法制备MoS2/Ti3SiC(2MoS2质量分数为2%)的层状复合材料。研究了不同烧结温度对烧结试样性能的影响。研究表明,在1400℃,30MPa压力和保温2h条件下,可以得到致密度达99%以上的MoS2/Ti3SiC2复合材料;在Ti3SiC2中添加MoS2后,烧结温度越高维氏硬度越大;在1400℃,烧结试样维氏硬度达6220MPa,高于纯Ti3SiC2材料的4000MPa;MoS2有良好的导电性能,使得烧结试样的电导率比较高,在1400℃,烧结试样电导率达9.68×106S.m-1,是纯Ti3SiC2材料的2倍。

关 键 词:热压烧结  层状
文章编号:1008-5939(2007)05-021-05
修稿时间:2007年4月23日

Study on the Preparation of MoS2/Ti3SiC2 Multilayer Materials
Mei Fangsheng,Mei Bingchu,Zhou Weibing,Yu Xiaojuan.Study on the Preparation of MoS2/Ti3SiC2 Multilayer Materials[J].Rare Metals Letters,2007,26(5):21-25.
Authors:Mei Fangsheng  Mei Bingchu  Zhou Weibing  Yu Xiaojuan
Abstract:
Keywords:MoS2/Ti3SiC2
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