| 电力半导体器件的最新发展动向 |
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| 引用本文： | 王彩琳. 电力半导体器件的最新发展动向[J]. 微纳电子技术, 1999, 0(1) |
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| 作者姓名： | 王彩琳 |
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| 作者单位： | 西安电力电子技术研究所 |
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| 摘 要： | 综述了电力半导体器件的最新发展动向，介绍了几种新型的电力半导体器件，指出新型的碳化硅材料将替代传统的硅材料成为制造电力半导体器件的理想材料。
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| 关 键 词： | 电力半导体器件 硅 材料 碳化硅 |
Recent Tendency of Power Semiconductor Devices |
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| Wang Cailin. Recent Tendency of Power Semiconductor Devices[J]. Micronanoelectronic Technology, 1999, 0(1) |
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| Authors: | Wang Cailin |
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| Abstract: | Recent tendency of power semiconductor devices is reviewed.Some new types of power semiconductor devices are introduced.It is pointed out that SiC will replace Si as ideal materials of developing power semiconductor devices. |
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| Keywords: | Power semiconductor devices Si Materials SiC |
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