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| 脉冲激光沉积技术制备的薄膜传感器的研究 | |
| 引用本文： | 门洪,邹绍芳,王平,沈静琴,许祝安. 脉冲激光沉积技术制备的薄膜传感器的研究[J]. 浙江大学学报(工学版), 2005, 39(4): 600-604 |
| 作者姓名： | 门洪 邹绍芳 王平 沈静琴 许祝安 |
| 作者单位： | 门 洪（浙江大学 生物医学工程与仪器科学学院，生物传感器国家专业实验室，生物医学工程教育部重点实验室，浙江 杭州 310027） 邹绍芳（浙江大学 生物医学工程与仪器科学学院，生物传感器国家专业实验室， 生物医学工程教育部重点实验室，浙江 杭州 310027） 王 平（浙江大学 生物医学工程与仪器科学学院，生物传感器国家专业实验室， 生物医学工程教育部重点实验室，浙江 杭州 310027） Andrey Legin（Chemistry Department St. Petersburg University, St.Petersburg, 199034, Russia） 沈静琴（浙江大学 物理系, 浙江 杭州 310027） 许祝安（浙江大学 物理系, 浙江 杭州 310027） |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 基于脉冲激光沉积（PLD）技术在光寻址电位传感器（LAPS）表面上制备了FeGeSbSe硫系玻璃薄膜，合成的靶材成分为Fe1.2(Ge28Sb12Se60)98.8，在Si/SiO2基质上的金属层为Cr/Au，硫系玻璃薄膜对Fe3＋敏感，显示了良好的重复性和稳定性.在1×10－5～1×10－2 mol/L呈现线性，斜率为(56±2) mV/decade，检测下限为5×10－6 mol/L，当浓度高于1×10－4 mol/L时，响应时间不超过40 s；当低于此浓度时，响应时间不超过2 min. |
| 关 键 词： | 薄膜化学传感器 光寻址电位传感器 脉冲激光沉积 硫系玻璃；Fe3+敏感 |
| 文章编号： | 1008-973X(2005)04-0600-05 |
| 修稿时间： | 2004-02-03 |
Investigation of thin film sensor prepared by pulsed laser deposition technique |
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| ANDRY Legin,MEN Hong,ZOU Shao-fang,WANG Ping,ANDRY Legin,SHEN Jing-qin,XU Zhu-an. Investigation of thin film sensor prepared by pulsed laser deposition technique[J]. Journal of Zhejiang University(Engineering Science), 2005, 39(4): 600-604 | |
| Authors: | ANDRY Legin MEN Hong ZOU Shao-fang WANG Ping ANDRY Legin SHEN Jing-qin XU Zhu-an |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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