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紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管
引用本文:宁宝俊,张太平,张录,田大宇. 紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管[J]. 半导体学报, 2002, 23(2): 174-177. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.02.013
作者姓名:宁宝俊  张太平  张录  田大宇
作者单位:北京大学微电子所,北京,100871
摘    要:描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF.探测器在波长区域(380~500nm)的光谱响应典型值:400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W.量子效率在400~900nm光谱范围内达到70%~80%.对于紫外光至蓝光区域,该器件是一种理想的光探测元件.

关 键 词:PIN光电二极管  暗电流  光谱响应
文章编号:0253-4177(2002)02-0174-04
修稿时间:2001-07-01

Silicon PIN Photodiode for UV and Blue Spectral Regions
Ning Baojun,Zhang Taiping,Zhang Lu and Tian Dayu. Silicon PIN Photodiode for UV and Blue Spectral Regions[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2002, 23(2): 174-177. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.02.013
Authors:Ning Baojun  Zhang Taiping  Zhang Lu  Tian Dayu
Abstract:
Keywords:PIN photodiode  dark current  spectral response
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