| 自升温效应下的GaAs MESFET大信号模型 |
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| 引用本文： | 王静,邓先灿. 自升温效应下的GaAs MESFET大信号模型[J]. 微波学报, 1999, 15(1): 63-67 |
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| 作者姓名： | 王静 邓先灿 |
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| 作者单位： | 杭州电子工业学院CAE所!杭州文一路65号，310037 |
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| 摘 要： | 本文首先分析ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ在自升温效应下的升温幅度，然后结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性，应用于ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ功率ＭＭＩＣ ＣＡＤ中能进一步提高电路的设计精度。
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| 关 键 词： | 大信号模型 自升温效应 微波半导体器件 |
A Large-Signal Model for the GaAs MESFET Considering Self-Heating Effect |
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| Wang Jing,Deng Xiancan. A Large-Signal Model for the GaAs MESFET Considering Self-Heating Effect[J]. Journal of Microwaves, 1999, 15(1): 63-67 |
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| Authors: | Wang Jing Deng Xiancan |
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| Abstract: | The temperature rise in the GaAs MESFET under self-heating effect is analyzed in this paper. The MESFET large-signal model considering the change of electrical parameters dependent on temperature is modified then. This revised model describes the characteristics of GaAs MESFETs more accurately, and improves the precision of MMIC CAD. |
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| Keywords: | GaAs MESFET Large-signal model Self-heating effect |
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