| 氧化铋掺杂对铌酸钾钠无铅压电陶瓷性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘代军,杜红亮,唐福生,罗发,周万城. 氧化铋掺杂对铌酸钾钠无铅压电陶瓷性能的影响[J]. 硅酸盐学报, 2007, 35(9): 1141-1145 |
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| 作者姓名： | 刘代军 杜红亮 唐福生 罗发 周万城 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 西北工业大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 用传统固相反应法制备了结构致密的铌酸铋钾钠[(Na0.5K0.5)1-3xBixNbO3,0≤x≤0.05]无铅压电陶瓷,研究了掺杂氧化铋(Bi2O3)对铌酸钾钠(Na0.5K0.5)NbO3(NKN)晶体结构和压电性能的影响.结果表明:当Bi2O3含量x＜0.02时,能得到具有纯钙钛矿结构的(Na05K0.5)1.3xBixNbO3陶瓷.最佳烧结温度随Bi2O3含量的增加而升高,与纯铌酸钾钠陶瓷相比,样品密度显著提高.Bi2O3掺杂量对铌酸钾钠的压电性能有很大影响,其压电常数(d33),机电耦合系数(kp,kt)随Bi2O3含量的增加先升高而后降低,并在x=0.01时达到最大值,机械品质因数(Qm)有明显提高.实验表明:当x=0.01时,(Na0.5K0.5)1-3BixNbO3无铅压电陶瓷的密度达4.42g/cm3,表现出优异的压电性能:d33=154×10-6C/N,kp=45%,kt=46%,介电损耗tanδ=3.5%,相对介电常数ε=598,Qm=138.
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| 关 键 词： | 无铅压电陶瓷 铌酸钾钠 压电性能 氧化铋 |
| 文章编号： | 0454-5648（2007）09-1141-05 |
| 修稿时间： | 2007-02-08 |
EFFECTS OF BISMUTH OXIDE-DOPING ON PROPERTIES OF POTASSIUM SODIUM NIOBATE LEAD-FREE PIEZOELECTRIC CERAMICS |
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| LIU Daijun,DU Hongliang,TANG Fusheng,LUO Fa,ZHOU Wancheng. EFFECTS OF BISMUTH OXIDE-DOPING ON PROPERTIES OF POTASSIUM SODIUM NIOBATE LEAD-FREE PIEZOELECTRIC CERAMICS[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2007, 35(9): 1141-1145 |
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| Authors: | LIU Daijun DU Hongliang TANG Fusheng LUO Fa ZHOU Wancheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | lead-free piezoelectric ceramics potassium sodium niobate piezoelectric properties bismuth oxide |
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