探测器级锗单晶的制备工艺

简要叙述了探测器锗单晶的制备工艺和各种主要的材料提纯以及晶体生长的条件。定性的讨论各种参数与多晶纯度,晶体完整性的关系和现行工艺所达到的水平以及产品质量。对影响分辨率的各种陷阱中心作了评述并指出了消除陷井的方法。特别对深、浅杂质的来源与控制;各种中性杂质和络合物的形成、性质、位错、空位对探测器性能的影响也进行了扼要的讨论。