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| 应用于NFC的低温烧结NiCuZn材料研究 | |
| 引用本文： | 刘卫沪,颜铄清,李启凡,陈中艳,董丽,冯则坤.应用于NFC的低温烧结NiCuZn材料研究[J].压电与声光,2014(1). |
| 作者姓名： | 刘卫沪 颜铄清 李启凡 陈中艳 董丽 冯则坤 |
| 作者单位： | 华中科技大学光学与电子信息学院; |
| 基金项目： | 广东省江门市2013重大科技专项基金资助项目 |
| 摘 要： | 采用流延法制备了长×宽为125mm×125mm,厚最薄为50μm的铁氧体电磁屏蔽片。研究了电磁屏蔽片屏蔽近场噪声源能力与材料磁谱间的关系,同时研究了材料中的CuO含量及助烧剂Bi2O3的添加量对材料磁谱的影响。结果表明,电磁屏蔽片屏蔽近场噪声源的能力与材料在13.56MHz下的磁导率μ′及品质因数(Q)相关。CuO含量过大,材料的磁谱特性会变差;Bi2O3的添加量对材料的高频段磁谱性能影响不大。 |
| 关 键 词： | 低温烧结铁氧体 近场通信(NFC) 电磁屏蔽片 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |