| 单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器 |
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| 引用本文： | 刘训春,陈俊,王润梅,王惟林,李无瑕,李爱珍,陈建新,陈意桥,陈晓杰,杨全魁.单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器[J].功能材料与器件学报,2000,6(3):161-164. |
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| 作者姓名： | 刘训春 陈俊 王润梅 王惟林 李无瑕 李爱珍 陈建新 陈意桥 陈晓杰 杨全魁 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子中心,北京100010
2. 中国科学院上海冶金研究所,上海200050 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目，中国科学院重大项目，97-706，KJ951-B1-706-05，， |
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| 摘 要： | 制备了增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近０Ｖ的增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件，并在此基础上设计制作了可在１．５￣３Ｖ低电压和单电源下工作的２．５ＧＨｚ低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。
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| 关 键 词： | 单电源 InGaP／InGaAs PHEMT 低噪声单片放大器 |
| 修稿时间： | : |
InGaP/InGaAs PHEMT LNA with low voltage single power supply |
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| LIU Xun-chun,CHEN Jun,WANG Run-mei,WANG Wei-ling,LI Wu-xia,LI Ai-zhen,CHEN Jian-xin,CHEN Yi-qiao,CHEN Xiao-jie,YANG Quan-kui.InGaP/InGaAs PHEMT LNA with low voltage single power supply[J].Journal of Functional Materials and Devices,2000,6(3):161-164. |
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| Authors: | LIU Xun-chun CHEN Jun WANG Run-mei WANG Wei-ling LI Wu-xia LI Ai-zhen CHEN Jian-xin CHEN Yi-qiao CHEN Xiao-jie YANG Quan-kui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Single power supply LNA |
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