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| a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索 | |
| 作者姓名： | 薛俊明 孙钟林 刘志钢 周伟 |
| 作者单位： | 南开大学光电子所!天津300071(薛俊明，孙钟林，刘志钢)，中科院半导体所材料科学实验室!北京100083(周伟) |
| 基金项目： | 中科院半导体所材料科学开放实验室资助课题，教育部光学信息技术科学开放实验室资助课题 |
| 摘 要： | 本文提出在宽带隙的a SiCx∶H或 β SiC中共掺铒和氧以实现铒的 1 5 4μm光发射。用集团模型和电荷自洽的EHMO理论计算了 β SiC中Er缺陷的电子结构 ,并在实验上实现了Er在a SiCx∶H中的 1 5 4μm光致发光(77K) .结果表明 ,β SiC或a SiCx :H有可能是实现Er的 1 5 4m室温高效发光的优良基质材 |
| 关 键 词： | 硅基合金 Er-O复合体 发光 分子轨道理论 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |