CdIn_2Se_4单晶的光致发光

本文叙述了在2°K—185°K 的温度范围内,对化学输运法生长的单晶所测量的CdIn_2Se_4光致发光谱和发光激发谱的结果。在高于83°K 的温度下,发光谱是由一个高斯分布形状的带组成(我们称它为带Ⅰ),在85°K 下,这个带的中心位于1.2eV 处;它的半宽度是0.4eV。在低于85°K的温度下,在较高能量(1.40eV)处,出现另一个发光带(我们称它为带Ⅱ)。当激发强度增加时,发光带的最大值朝较高能量方向移动。激发谱不显示任何低于带隙能量的结构。分析我们的试验结果并同已发表的关于CdIn_2Se_4发光与光电导的工作比较,我们提出了在此种晶体带隙中的能级图和光激发载流子复合过程的模型。我们把带Ⅰ归因于在分布陷阱中的电子与受主能级上的空穴辐射复合,这个能级位于价带上0.14eV 处;带Ⅱ是由于电子从施主能级到价带的跃迁,施主能级位于导带底0.19eV 处。温度猝灭和发光与激发强度间的亚线性关系表明在带隙内应存在一个非辐射的复合中心。