| 基于参数退化法评价功率肖特基二极管寿命 |
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| 引用本文： | 段毅,马卫东,吕长志,李志国.基于参数退化法评价功率肖特基二极管寿命[J].半导体技术,2009,34(1). |
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| 作者姓名： | 段毅 马卫东 吕长志 李志国 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室,北京,100124;北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室,北京,100124 |
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| 摘 要： | 对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流,IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻Rs等参数的退化情况.可以看出,在退化的过程中,SBD的,IR增加较快,n逐渐减小,ΦB逐渐增大,而Rs则缓慢增加.综合考察这些退化曲线,采用退化最为明显的,IR作为失效判据.基于IR参数退化曲线,使用恒定电应力温度斜坡法(CETRM)模型,推导出该功率肖特基二极管的寿命约为4.3×107 h,测试结果与实际预测相符.
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| 关 键 词： | 退化试验 理想因子 势垒高度 肖特基二极管 恒定电应力温度斜坡法 |
Life Prediction of Power Schottky Barrier Diode Based on the Method of Parameter Degeneration |
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| Duan Yi,Ma Weidong,Lü Changzhi,Li Zhiguo.Life Prediction of Power Schottky Barrier Diode Based on the Method of Parameter Degeneration[J].Semiconductor Technology,2009,34(1). |
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| Authors: | Duan Yi Ma Weidong Lü Changzhi Li Zhiguo |
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| Affiliation: | Microelectronic Reliability Lab.;School of Electronic Information & Control Engineering;Beijing University of Technology;Beijing 100124;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | degenerate test ideal factor barrier height SBD CETRM |
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