| 基于CMOS工艺的一种低功耗高增益低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 李竹. 基于CMOS工艺的一种低功耗高增益低噪声放大器[J]. 现代电子技术, 2006, 29(20): 30-32 |
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| 作者姓名： | 李竹 |
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| 作者单位： | 南京理工大学,自动化学院,江苏,南京,210094 |
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| 摘 要： | 采用0.18μm CMOS工艺,两级共源结构实现了低功耗高增益的低噪声放大器设计。共源结构的级联采用电流共享技术,从而达到低功耗的目的。电路的输入端采用源极电感负反馈实现50Ω阻抗匹配,同时两级共源电路之间通过串联谐振相级联。该LNA工作在5.2 GHz,1.8 V电源电压,能提供20 dB的增益(S21为20 dB),而噪声系数为1.9 dB,输入匹配较好,S11为-32 dB。
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| 关 键 词： | CMOS工艺 低噪声放大器 LC谐振 两级共源 |
| 文章编号： | 1004-373X（2006）20-030-03 |
| 收稿时间： | 2006-04-21 |
| 修稿时间： | 2006-04-21 |
A Low Power High Gain CMOS Low Noise Amplifier |
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| LI Zhu. A Low Power High Gain CMOS Low Noise Amplifier[J]. Modern Electronic Technique, 2006, 29(20): 30-32 |
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| Authors: | LI Zhu |
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| Affiliation: | Department of Automation, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS technology low noise amplifier LC resonance two-stage cascade |
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