全息光刻制备808nm分布反馈半导体激光器的光栅 |
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引用本文: | 刘丹丹,王勇,叶镇,高占琦,张屿,王晓华.全息光刻制备808nm分布反馈半导体激光器的光栅[J].中国激光,2015(2):56-60. |
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作者姓名: | 刘丹丹 王勇 叶镇 高占琦 张屿 王晓华 |
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作者单位: | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(11474036) |
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摘 要: | 实验优化设计了808 nm分布反馈(DFB)半导体激光器的二级布拉格光栅结构,介绍了808 nm DFB半导体激光器光栅制备的工艺过程。采用全息光刻方法和湿法腐蚀技术在Ga As衬底片上制备了周期为240 nm的光栅图形,全息光刻系统采用条纹锁定技术降低条纹抖动和提高干涉稳定性,腐蚀液中H3PO4、H2O2和H2O的体积比为1:1:10,腐蚀时间为30 s。光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试显示,光栅周期为240 nm,占空比为0.25,深度为80 nm,具有完美的表面形貌及良好的连续性和均匀性。
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关 键 词: | 激光器 半导体激光器 分布反馈 光栅 全息光刻 |
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