| Hf掺杂BiSbTe3结构与热电性能研究 |
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| 引用本文： | 刘福生,敖伟琴,罗锐敏,冯学文,张文华,李均钦.Hf掺杂BiSbTe3结构与热电性能研究[J].深圳大学学报(理工版),2008,25(3). |
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| 作者姓名： | 刘福生 敖伟琴 罗锐敏 冯学文 张文华 李均钦 |
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| 作者单位： | 深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳,518060 |
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| 基金项目： | 深圳大学科研启动基金资助项目 |
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| 摘 要： | 以高纯Hf、Bi、Sb和Te为原料,在1 000℃下,经10 h氩气保护熔融状态下反应,冷却球磨制粉,再在氮气保护下进行热压(450℃,20 MPa),成功制备出一系列不同Hf掺杂量的Hf2x(Bi,Sb)2-2xTe3化合物.X射线粉末衍射Rietveld分析说明,Hf在结构中占据6c晶位,以替代(Bi,Sb)的形式进入晶格.Hf掺杂引起BiSbTe3的Seebeck系数增大,电导率降低.功率因子在375 K时达最大值526 μW/mK2.
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| 关 键 词： | 热电性能 铪 Bi2Te3 Seebeck系数 功率因子 |
Structure and thermoelectrical properties of Hf doped BiSbTe3 compounds |
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