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| 三维MCM-C／A组件技术研究 | |
| 引用本文： | 董兆文,刘彤.三维MCM-C／A组件技术研究[J].混合微电子技术,2010,21(2):50-53,60. |
| 作者姓名： | 董兆文 刘彤 |
| 作者单位： | 华东微电子技术研究所,合肥230022 |
| 摘 要： | 本文研究了采用LTCC多层布线与铝阳极氧化多层布线工艺相结合的方法制作出三维高密度MCM组件（3D—MCM—C／A）。阐述了3D—MCM—C／A组件的结构，研究分析了LTCC基板与铝阳极氧化工艺之间的兼容性问题。通过LTCC工艺和LTCC基板抛光清洗工艺的控制以及过渡Ta层的设计解决了两者之间的兼容问题；采用LTCC隔板的方式实现组件的垂直互连。在LTCC基板表面采用薄膜淀积的方法以及特殊的“双刻蚀法”制作焊接区，满足了表面器件及垂直互连的焊接，实现了四层2D—MCM—C／A垂直互连。。 |
| 关 键 词： | 低温共烧陶瓷 阳极氧化 三维多芯片组件 |
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