| 脉冲多弧离子源所镀膜层均匀性的实验研究 |
| |
| 引用本文： | 蔡长龙,朱昌,杭凌侠,刘卫国,严一心.脉冲多弧离子源所镀膜层均匀性的实验研究[J].西安工业学院学报,1998,18(4):270-274. |
| |
| 作者姓名： | 蔡长龙 朱昌 杭凌侠 刘卫国 严一心 |
| |
| 作者单位： | 西安工业学院仪器工程系 |
| |
| 摘 要： | 为了解决脉冲多弧离子源镀制膜层的均匀性问题，文中首先分析了不同阴极尺寸、不同辅助阳极尺寸、不同引弧方法以及不同基片距阴极的距离引起所镀膜层透过率曲线的改变，进而讨论了脉冲多弧离子源电极几何尺寸对膜厚均匀性的影响．采用在基片下加一个圆筒形负电位电极实现了脉冲多弧离子源镀膜的均匀性．实验结果表明，在直径７０ｍｍ范围内透过率相对误差为±６．７％，小于所要求的±１０％．
|
| 关 键 词： | 离子镀 薄膜沉积 均匀性 电极几何尺寸 |
The discuss on the uniformity of the film deposited by the pulse multi arc ion source |
| |
| Cai Changlong,Zhu Chang,Hang Lingxia,Liu Weiguo,Yan Yixin.The discuss on the uniformity of the film deposited by the pulse multi arc ion source[J].Journal of Xi'an Institute of Technology,1998,18(4):270-274. |
| |
| Authors: | Cai Changlong Zhu Chang Hang Lingxia Liu Weiguo Yan Yixin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ion plating thin film deposition film thickness uniformity geometric size of the electrodes |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
