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低噪声和高增益CMOS下变频混频器设计
引用本文:王良坤,马成炎,叶甜春.低噪声和高增益CMOS下变频混频器设计[J].微电子学,2008,38(5).
作者姓名:王良坤  马成炎  叶甜春
作者单位:1. 中国科学院,微电子研究所,北京,100029
2. 杭州中科微电子有限公司,杭州,310053
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:设计并实现了一个用于GPS接收机射频前端的CMOS下变频混频器.基于对有源混频器的噪声机制的物理理解,电路中采用了噪声消除技术,以减少Gilbert型混频器中开关管的闪烁噪声,并引入一个额外的电感与开关对共源节点的寄生电容谐振,改善整个电路的噪声系数和转换增益等关键性能指标.电路采用TSMC 0.25 μm RF CMOS工艺实现,SSB噪声系数为7 dB,电压转换增益为10.4 dB,输入1 dB压缩点为-22 dBm,且输入阻抗匹配良好,输入反射系数为-17.8 dB.全差分电路在2.5 V供电电压下的功耗为10 mW,可满足GPS接收机射频前端对低噪声、高增益的要求.

关 键 词:射频集成电路  下变频混频器  GPS接收机

Design of a Low-Noise and High-Gain CMOS Down-Conversion Mixer
WANG Liangkun,MA Chengyan,YE Tianchun.Design of a Low-Noise and High-Gain CMOS Down-Conversion Mixer[J].Microelectronics,2008,38(5).
Authors:WANG Liangkun  MA Chengyan  YE Tianchun
Abstract:
Keywords:CMOS
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