| 不同气氛保护下退火制备的CuO/SiO2复合薄膜微观结构分析 |
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| 引用本文： | 石锋,李玉国,孙钦军. 不同气氛保护下退火制备的CuO/SiO2复合薄膜微观结构分析[J]. 半导体学报, 2008, 29(12): 2381-2384 |
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| 作者姓名： | 石锋 李玉国 孙钦军 |
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| 作者单位： | 山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014;山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014;山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控共溅射法在Si (111)衬底上沉积Cu/SiO2 复合薄膜，然后在N2和NH3保护下高温退火，再于空气中自然冷却氧化，制备出CuO结构，并对其微观结构进行分析. N2保护下退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO (200）晶面，薄膜样品表面出现纳米线状结构，表面组分主要包括Cu,O元素，冷却氧化形成CuO/SiO2复合薄膜. NH3气氛保护下退火，随着退火温度的升高，CuO由单斜晶相逐渐转变为立方晶相，CuO薄膜结晶质量提高. 样品于900℃和1100℃退火后，形成有序散落的微米级颗粒，前者由粒状团簇组成，颗粒表面比较粗糙；后者由片融状小颗粒融合而成，颗粒表面比较光滑.
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| 关 键 词： | 射频磁控共溅射法 CuO/SiO2复合薄膜 微观结构 退火气氛 |
| 修稿时间： | 2008-07-24 |
Analysis to Microstructure of CuO/SiO2 Composite Thin Films Annealing at Different Atmospheres |
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| Shi Feng,Li Yuguo and Sun Qinjun. Analysis to Microstructure of CuO/SiO2 Composite Thin Films Annealing at Different Atmospheres[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 29(12): 2381-2384 |
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| Authors: | Shi Feng Li Yuguo Sun Qinjun |
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| Affiliation: | College of Physics and Electronic,Shandong Normal University,Jinan 250014,China;College of Physics and Electronic,Shandong Normal University,Jinan 250014,China;College of Physics and Electronic,Shandong Normal University,Jinan 250014,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | radio frequency magnetron co-sputtering cupric oxide/silica composite thin films microstructure annealing atmosphere |
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