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| Ge_xSi_（1－x）／Si超晶格红外探测器最佳结构 | |
| 引用本文： | 李国正,张浩.Ge_xSi_（1－x）／Si超晶格红外探测器最佳结构[J].半导体光电,1995(3). |
| 作者姓名： | 李国正 张浩 |
| 作者单位： | 西安交通大学电子工程系 |
| 摘 要： | 通过对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格机理的研究，算出了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格红外探测器的最佳结构参数，以对１．３μｍ红外光有最大的利用率。 |
| 关 键 词： | 半导体材料，异质结，红外探测器，应变层超晶格 |
Optimum structure of Ge_xSi_(1-x)si superlattice Infrared Detector |
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| Li Guozheng,ZHANG Hao.Optimum structure of Ge_xSi_(1-x)si superlattice Infrared Detector[J].Semiconductor Optoelectronics,1995(3). | |
| Authors: | Li Guozheng ZHANG Hao |
| Abstract: | |
| Keywords: | Semiconductor Materials Heterojunction Infrared Detectors Strained-layer Superlattice |
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