| Al-K-Si掺杂残留量及其对钼丝再结晶温度的影响 |
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| 引用本文： | 王勇,高家诚,李伟勤,周永贵,陈功明. Al-K-Si掺杂残留量及其对钼丝再结晶温度的影响[J]. 材料导报, 2007, 21(Z2): 450-452 |
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| 作者姓名： | 王勇 高家诚 李伟勤 周永贵 陈功明 |
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| 作者单位： | 1. 重庆大学科学与工程学院,重庆,400045
2. 自贡硬质合金有限责任公司技术中心,自贡,643011 |
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| 摘 要： | 测试分析了不同掺杂量的材料经过还原和烧结后获得的Si、Al、K残留量,并对不同Si、Al、K掺杂量的钼丝的再结晶行为进行了研究.结果证明元素残留量随掺杂量的增加而增加,通过拟合得到了二者之间的数学关系.通过热分析发现,掺杂钼丝的再结晶温度比纯钼丝提高了550～600 ℃,而且再结晶温度随Si、Al、K掺杂含量的增加而升高.
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| 关 键 词： | 掺杂钼 掺杂量 残留量 再结晶温度 二次再结晶 |
Remaining Amount of AKS Dopant and Its Effect on the Recrystallization Temperature |
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| WANG Yong,GAO Jiacheng,LI Weiqin,ZHOU Yonggui,CHEN Gongming. Remaining Amount of AKS Dopant and Its Effect on the Recrystallization Temperature[J]. Materials Review, 2007, 21(Z2): 450-452 |
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| Authors: | WANG Yong GAO Jiacheng LI Weiqin ZHOU Yonggui CHEN Gongming |
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