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| 一种用刷新技术实现SRAM抗SEU错误累积的方法 | |
| 作者姓名： | 陈庆宇 吴龙胜 郝奎 艾刁 |
| 作者单位： | 西安微电子技术研究所; |
| 摘 要： | 为了防止空间应用SRAM出现SEU错误累积,提出了一种优化的读→校验→回写刷新机制.该机制实时监测处理器状态,当处理器对外部主存进行读操作时,由存储器控制器自主地(即不需处理器干预)对读操作的存储单元进行刷新操作;当处理器进行访问外部主存以外的其他操作时,由存储器控制器自主的对所有的存储单元进行遍历式刷新操作,该机制可以避免长时间未被读的存储单元发生SEU错误的累积,保证SRAM单元中发生错误的比特位数小于校验码的纠检错能力.最后,通过向SRAM随机注错的方法对本机制的存储器控制器进行验证,结果表明存储器控制器满足设计要求. |
| 关 键 词： | 空间应用 SRAM 存储器控制器 刷新 单粒子翻转 |
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