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| 一种新颖高效抗SEU/SET锁存器设计 | |
| 作者姓名： | 梁华国 王旭明 黄正峰 |
| 作者单位： | 合肥工业大学电子科学与应用物理学院; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61274036,61106038,61106020);博士点基金(20110111120012) |
| 摘 要： | 随着工艺技术的发展,集成电路对单粒子效应的敏感性不断增加,因而设计容忍单粒子效应的加固电路日益重要.提出了一种新颖的针对单粒子效应的加固锁存器设计,可以有效地缓解单粒子效应对于电路芯片的影响.该锁存器基于DICE和C单元的混合结构,并采用了双模冗余设计.SPICE仿真结果证实了它具有良好的抗SEU/SET性能,软错误率比M.Fazeli等人提出的反馈冗余锁存器结构减少了44.9%.与经典的三模冗余结构比较,面积开销减少了28.6%,功耗开销降低了超过47%. |
| 关 键 词： | 单粒子翻转 单粒子瞬态 锁存器 软错误 双模冗余 |
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